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来源:环球网 作者: 发表时间:2018-07-12 14:04
【环球网科技综合报道】据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
20180711025918626.jpg三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比,后者使存储的传输速度提高了40%。此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙,与前一代相比改进了30%,读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能,电压从1.8V降至1.2V。为了实现上述所有的改进,新一代V-NAND配备了90层的3D TLC闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔。这些小孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个闪存单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这种制造方法包括了许多先进技术,比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述,但该公司称,V-NAND的改进使其生产效率提高了30%以上。(实习编译:郑婷婷审稿:李宗泽)
编辑:蒋蒋
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环球网  作者:  2018-07-12
【环球网科技综合报道】据外媒7月10日报道,顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
20180711025918626.jpg三星第五代V-NAND内存芯片是业内第一个利用Toggle DDR4.0接口的产品。该接口被称为数据传输的高速公路,在存储之间的传输速度可达1.4 Gbps。与前一代产品相比,后者使存储的传输速度提高了40%。此外,新的V-NAND数据写入速度仅延迟了500微妙,与前一代相比改进了30%,读取信号时间已降低到50微妙。值得一提的是新的96层V-NAND闪存芯片也更加节能,电压从1.8V降至1.2V。为了实现上述所有的改进,新一代V-NAND配备了90层的3D TLC闪存存储单元。它们堆叠成金字塔状结构,中间有微小孔。这些小孔用作通道,尺度仅有几百微米宽,包含超过850亿个闪存单元,每个单元存储多达3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这种制造方法包括了许多先进技术,比如电路设计、新工艺技术等。具体细节三星未详述,但该公司称,V-NAND的改进使其生产效率提高了30%以上。(实习编译:郑婷婷审稿:李宗泽)
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